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半导体器件原理书籍详细信息

  • ISBN:9787309081442
  • 作者:暂无作者
  • 出版社:暂无出版社
  • 出版时间:2011-5
  • 页数:375
  • 价格:48.00元
  • 纸张:暂无纸张
  • 装帧:暂无装帧
  • 开本:暂无开本
  • 语言:未知
  • 丛书:暂无丛书
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内容简介:

《半导体器件原理》不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性,还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源/漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念,不仅有理论基础知识的阐述,还有新近研究成果的介绍。

《半导体器件原理》可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材,也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。


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其它内容:

书籍介绍

《半导体器件原理》不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性,还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源/漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念,不仅有理论基础知识的阐述,还有新近研究成果的介绍。

《半导体器件原理》可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材,也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。


书籍真实打分

  • 故事情节:5分

  • 人物塑造:7分

  • 主题深度:3分

  • 文字风格:6分

  • 语言运用:6分

  • 文笔流畅:9分

  • 思想传递:3分

  • 知识深度:7分

  • 知识广度:3分

  • 实用性:5分

  • 章节划分:8分

  • 结构布局:7分

  • 新颖与独特:6分

  • 情感共鸣:7分

  • 引人入胜:8分

  • 现实相关:6分

  • 沉浸感:3分

  • 事实准确性:4分

  • 文化贡献:4分


网站评分

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  • 书籍信息完全性:9分

  • 网站更新速度:4分

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